NAND flash产业可真是一个竞争十分激烈的产业，从上游芯片供货商开发新制程的脚步就可以略窥一二。Samsung已于4月29日正式发布新闻稿，对外宣称开始量产50nm级16Gb MLC产品。而Intel和Micron合资的IM Flash Technologies也于4月25日对外宣称开始送样50nm级16Gb MLC产品。此外，Toshiba继1月下旬推出56 nm 8Gb MLC样品后，也计划在2Q07中量产56 nm的16Gb MLC，Toshiba/SanDisk阵营在NAND Flash MLC技术上也是位于前头的地位。
去年7月19日Samsung宣布开始量产60nm级的8Gb MLC，如今Samsung已开始用更先进的50nm级制程生产更高容量的16Gb MLC产品。在新一代的制程技术开发上将比以往的世代难度更大， 尽管同业在制程技术的开发上也十分积极使得竞争加剧，但Samsung仍在NAND Flash技术上位于前头的地位。另一方面，在经过2006年MLC制程转换的阵痛后，Samsung已经逐渐掌握MLC产品的生产技术要领，未来也将有助于顺利开发出更高阶制程与容量的MLC产品。
Intel和Micron自2006年1月正式合资成立IM Flash Technologies（简称IMFT）后，挟着各自原本在NOR Flash和DRAM领域的优异研发能力，在NAND Flash的制程技术开发上不断地拉近与Samsung和Toshiba两大阵营的距离。其实，去年下半年IMFT就已经用50nm制程开发出容量4Gb的样品，如今再用50nm制程开发出16Gb的MLC产品，意味着IMFT在NAND Flash的制程开发脚步上与前两大NAND Flash供货商的距离已经缩短到一至两季的时间内，对Samsung和Toshiba而言IMFT可算是一个极具威胁的竞争对手。
随着NAND Flash这几家主要供货商陆续开始送样和量产16Gb的MLC产品，DRAMeXchange相信今年下半年NAND Flash的几项主要应用如：记忆卡、随身碟、MP3播放器等产品的主流储存容量都将会再往上提升，消费者也将有机会以更经济实惠的价格购买这些产品。
最后，DRAMeXchange将4/23和4/30的NAND Flash现货收盘价做一比较：1Gb的价位从2.21美元下滑到2.14美元，跌幅为3.2%；2Gb从2.32下滑至2.28美元，跌幅1.7%；4Gb从4.4下跌至4.28美元，跌幅2.7%；8Gb则从7.35上涨至7.40美元左右，涨幅为0.7%；16Gb从16.25下跌至16.04美元，跌幅1.3%。
