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● SPD信息分析
CPU-Z SPD页截图
CPU-Z 1.39显示的ADATA DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分正确完整，包含了DDR2-400/533/800三组数据，各自对应的时序水平属正常等级。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
● 条件限制 进行简单测试
因为目前业内还没有支持DDR2-800速度内存的移动平台，少数能够超频支持DDR2-800 SO-DIMM模组的MoDT主板也不在国内市场行销，因此这里只能选择一款DELL Napa系统笔记本进行测试。测试选用的Inspiron 6400笔记本电脑使用Intel 945PM Express芯片组，最高支持DDR2-667的内存模组，原配置512MB容量单通道配置的DDR2-667系统内存。
测试系统的模组只能运行在DDR2-667模式下
945PM能够支持容量不对称的双通道内存配置，1GB+512MB的双通道配置运行正常，这种技术扩展了用户在扩充内存时的选择范围，升级时也不必丢弃容量较低的原配内存。
因为ADATA DDR2-800 1GB SO-DIMM内存模组标称的DDR2-800速度下的性能无法测试，在DDR2-667下进行测试并无意义，本文略掉了标准测试环节，仅用Windows Vista系统性能评估软件进行512MB单通道和1GB+512MB双通道的简单对比。
512MB单通道DDR2-667得分
1GB+512MB双通道DDR2-667得分
在Vista系统中，512MB单通道配置的内存已经成为整机性能的瓶颈，内存子系统得分只有2.9。1GB+512MB双通道扩展后内存子系统得分则飙升至3.9，已经能基本满足各类高负载应用。这个小测试虽然不够严谨，但相信是广大笔记本用户未来会普遍使用的内存升级模式，具有代表意义。
● ZOl评测中心观点
DDR2-800 SO-DIMM 移动平台也极速
作为技术领先的全球第二大内存模组厂商，威刚又一次在新产品推出速度上做出了表率，DDR2-800 1GB SO-DIMM是目前我们能够买到的最好的笔记本内存模组，即将打算购买使用最新平台技术笔记本和正在使用高性能笔记本的用户都应该关注它。
优点：最先上市的DDR2-800 SO-DIMM内存模组；
做工精湛，内存芯片为高品质hynix型号；
1GB单根容量正符合目标市场需求。
局限：目前还暂无支持DDR2-800的笔记本可供发挥更高性能。
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